Les fabricants Samsung et SK Hynix rivalisent d’innovation avec leurs mémoires GDDR7 aux vitesses vertigineuses atteignant jusqu’à quarante-huit gigabits par seconde
Les puces GDDR7 lancées initialement n’ont pas répondu aux attentes en matière de capacité et de débit, mais la situation devrait évoluer significativement. Samsung et SK Hynix accélèrent leurs développements pour proposer des mémoires nettement plus performantes aux fabricants de cartes graphiques.
Avant leur commercialisation réelle, les deux géants de la mémoire vantaient leurs futures innovations. Samsung promettait des modules de 3 Go, contre 2 Go habituellement, tandis que les deux rivaux se disputaient la suprématie en vitesse. Ces promesses ont tardé à se concrétiser, mais les annonces récentes indiquent enfin des avancées tangibles sur ces deux fronts.
Samsung vient de confirmer que ses puces GDDR7 3 Go cadencées à 28 Gbps sont désormais en production de masse. Le fabricant a également révélé sa feuille de route incluant des variantes plus rapides : 32 Gbps et 36 Gbps. Ces modules devraient équiper les prochaines générations de cartes graphiques, notamment les GeForce RTX série 50 SUPER attendues pour le troisième trimestre de l’année.
SK Hynix, concurrent historique, ne reste pas inactif. Lors de la conférence International Solid-State Circuit Conference prévue en février à San Francisco, l’entreprise présentera ses propres avancées. SK Hynix vise une GDDR7 3 Go à 48 Gbps, surpassant ainsi les ambitions immédiates de Samsung avec une marge conséquente.
Il convient toutefois de noter que les démonstrations de SK Hynix ne garantissent pas une disponibilité immédiate. Le calendrier de production réel de ces mémoires ultra-rapides reste à confirmer, mais l’intensification de la compétition entre ces deux fabricants promet des gains de performance substantiels pour les futures générations de cartes graphiques.
